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| MEMS 用縮小投影曝光裝置「NES1-h04 」 |
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| 全世界佔用面積最小的實現化─MEMS制造了最佳化的投影曝光�E置 |
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微小電氣機械系統技術簡稱為MEMS,它被視為將成為下一個世代產業的基礎而受到矚目,最近幾年在市場上急速的擴展。
MEMS的技術和半導體的產業相比更是細微化的技術,因此有必要更精確的焦距調整來因應厚膜的阻抗及高段落的差異因此開發出MEMS用將解析度及焦距調整為最適當的縮小投影曝光裝置。
另外為了能夠充分利用運作時無塵室空間所花費的成本,因此我們更加的要求降低MEMS用曝光裝置所占的面積,所以在MEMS特殊的製造工程上有必要結合晶片內面的調整標誌的曝光裝置。
NIKON ENGINEERING股份有限公司在1995年,開始販售磁頭的ABS加工用曝光裝置獲得了很高的評價,這次開始發行的「小型曝光機 NES1-h04」是將以前的縮小投影曝光裝置的技術為基礎,並且針對MEMS製造時的需求所開發出的新產品。 |
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1.搭配了適合MEMS用新開發的投影鏡頭
MEMS用縮小投影曝光裝置,實現了MEMS製造時所必要的解析度20μm L/S,曝光範圍15mm x 15mm的功能,同時依據最適當的數值孔徑來準確的調整最適當的焦點,同時也能夠因應所展生的阻抗及高段落的差異。
※2 k=0.6 的處理作為 1.5 μ m L/S 的解析度可以使用的。
2.世界最小的佔用面積
MEMS的機體實現了佔有體積1.3㎡令人不可置信的世界最小體積,即使是加裝上晶片輸入程式,所占的體積也才1.9㎡,對於改善無塵室使用效率及降低運作的成本有很大的幫助。
3. 可以搭配內部調整標誌的功能(選配)
搭配了晶片內部的調整標誌功能,調整為0.8μm (  +3σ)的精確度也可以曝光,也可以依據需求特別訂做。
4. 搭配量產的處理量
採用顯微鏡台來重新檢測,同時採用明亮的照明系統,1小時內可以處理150mm60張晶片。 |
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| 解析度 |
2.0 μ m |
| 投影 LENS 縮小倍率 |
-1/2.5 倍 |
| NA （開口數） |
0.16 |
| 曝光範圍 |
15 mm × 15 mm |
| 曝光波長 |
405nm |
| 對準精度 |
0.3μm以下（ +3σ, エンバイロメンタルチャンバ使用時） |
| 樣品尺寸 |
φ 50 mm(2 in.) ~150mm(6 in.) |
| 處理能力 |
φ150mm晶片60枚/時 |
| 尺寸（W × D × H ） |
980 × 1330 × 2100 mm |
| 重 量 |
1,600kg | |
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